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Notícias do setor: A Infineon estabelece um novo padrão de potência para aceleradores de IA e fornecimento de energia vertical com estágios de potência inteligentes de duas fases de 2 A/mm².
A Infineon Technologies AG (FSE: IFX / OTCQX: IFNNY) apresenta o TDA235E5 e o TDA235E0, uma família de estágios de potência inteligentes de dupla fase projetada para atender aos requisitos de densidade de potência em rápido crescimento dos aceleradores de IA de última geração e módulos de fornecimento de energia vertical.Leia mais -
Notícias do setor: Sumitomo Chemical inicia a produção em massa de epiwafers de InP de 4 polegadas.
A Sumitomo Chemical Co Ltd, com sede no Japão, iniciou a produção em massa de wafers epitaxiais de fosfeto de índio (InP) de 4 polegadas em sua fábrica de Ibaraki, em Hitachi, província de Ibaraki, e começou a comercializar os novos produtos. A empresa afirma que...Leia mais -
Notícias do setor: A Nexperia explora a colaboração com a Aurobay no desenvolvimento de semicondutores de potência para sistemas de propulsão eletrificados.
A Nexperia BV, empresa de design e fabricação de dispositivos discretos de Nijmegen, na Holanda (que opera fábricas de wafers em Hamburgo, na Alemanha, e em Hazel Grove, Manchester, no Reino Unido), afirma que irá explorar uma colaboração estratégica em sistemas avançados de potência...Leia mais -
Notícias do setor: Expansão das instalações de teste da NXP na Malásia dobrará a capacidade até 2028.
Em 12 de agosto de 2026 (horário local), a NXP Semiconductors, empresa líder global em semicondutores para os setores automotivo e industrial, realizou a cerimônia de inauguração de sua nova fábrica de embalagens e testes em Petaling Jaya, Malásia. Trata-se de uma grande expansão de suas instalações de teste existentes...Leia mais -
Notícias do setor: Escassez de capacitores cerâmicos multicamadas impulsiona aumento de preços
O preço dos capacitores cerâmicos multicamadas (MLCCs), frequentemente chamados de "arroz" dos equipamentos de tecnologia da informação (TI), está disparando. Esse aumento de preço se deve principalmente à escassez prolongada de MLCCs causada pelo boom de investimentos em inteligência artificial...Leia mais -
Fita de cobertura termosselável personalizada de 13,50 mm disponível para fita transportadora de 16 mm.
A fita transportadora padrão de 16 mm é normalmente usada com fita de cobertura padrão de 13,3 mm. No entanto, dependendo do espaço necessário durante as operações de vedação de seus componentes, alguns clientes optam por larguras alternativas de fita de cobertura, menores ou maiores que 13,3 mm. Recentemente...Leia mais -
Design personalizado de fita transportadora Sinho para a peça CAMBION – Solução de agosto de 2026
Data: Agosto de 2026 Tipo de solução: Fita transportadora personalizada País do cliente: EUA Fabricante original do componente: Design Tempo de conclusão: 1 hora Número da peça: 450-3704 Soquete para montagem em solda, para diâmetro de 0,040 (1,02)...Leia mais -
Design personalizado de fita transportadora Sinho para peça da TESLA – Solução de julho de 2026
Data: Julho de 2026 Tipo de solução: Fita adesiva personalizada País do cliente: México Fabricante original do componente: Design Tempo de conclusão: 2 horas Número da peça: Tesla CUP, INS, RET, WSHR, PCBA 2049904-00-B Par...Leia mais -
Notícias do setor: PVA TePla e Fraunhofer IISB estabelecem laboratório conjunto para substratos de nitreto de alumínio.
O Fraunhofer IISB (Instituto de Sistemas Integrados e Tecnologia de Dispositivos), sediado em Erlangen, e a PVA TePla AG, fabricante de sistemas de plasma de micro-ondas e radiofrequência sediada em Wettenberg, estão unindo suas expertises em um Laboratório Conjunto para a produção de alumínio...Leia mais -
Notícias do setor: Keysight e WIN colaboram para reduzir o risco de projeto em componentes de RF de alta frequência.
A Keysight Technologies Inc., de Santa Rosa, Califórnia, EUA, e a WIN Semiconductors Corp., da cidade de Taoyuan, Taiwan, fornecem serviços de fundição de wafers de arseneto de gálio (GaAs) e nitreto de gálio (GaN) para os setores de redes sem fio, infraestrutura e...Leia mais -
Notícias do setor: A tecnologia reGaN da IVWorks possibilita o primeiro HEMT GaN de 742 GHz.
Imagem: Um engenheiro da IVWorks calibra uma fonte de plasma para implantação em um sistema MBE híbrido em escala de produção, que suporta o crescimento epitaxial de GaN de alta uniformidade e alta qualidade. Um transistor de alta mobilidade de elétrons (HEMT) de nitreto de gálio (GaN)...Leia mais -
Notícias do setor: SIA aplaude incentivos da Lei CHIPS para a Coherent
WASHINGTON, 16 de junho de 2026 — A Associação da Indústria de Semicondutores (SIA) divulgou hoje a seguinte declaração do presidente e CEO da SIA, John Neuffer, elogiando os incentivos à fabricação anunciados pelo Departamento de Comércio e pela Cohe...Leia mais
