-
Berita Industri: Infineon menetapkan penanda aras kuasa baharu untuk pemecut AI dan penghantaran kuasa menegak dengan peringkat kuasa pintar dwi-fasa 2 A/mm²
Infineon Technologies AG (FSE: IFX / OTCQX: IFNNY) memperkenalkan TDA235E5 dan TDA235E0, sebuah keluarga peringkat kuasa pintar dwi-fasa yang direka untuk memenuhi keperluan ketumpatan kuasa yang semakin berkembang pesat bagi pemecut AI generasi akan datang dan modul penghantaran kuasa menegak. Integrasi...Baca lebih lanjut -
Berita Industri: Sumitomo Chemical memulakan pengeluaran besar-besaran epiwafer InP 4 inci
Sumitomo Chemical Co Ltd yang berpangkalan di Jepun telah memulakan pengeluaran besar-besaran wafer epitaksi indium fosfida (InP) 4 inci di Ibaraki Works di Hitachi, Wilayah Ibaraki, dan telah mula menjual produk baharu tersebut. Firma itu mengatakan bahawa,...Baca lebih lanjut -
Berita Industri: Nexperia meneroka kerjasama semikonduktor kuasa dengan Aurobay untuk rangkaian kuasa elektrik
Pereka dan pengeluar peranti diskret Nexperia BV dari Nijmegen, Belanda (yang mengendalikan fabrikasi wafer di Hamburg, Jerman dan Hazel Grove Manchester, UK) mengatakan ia akan meneroka kerjasama strategik mengenai kuasa termaju...Baca lebih lanjut -
Berita Industri: Pengembangan Fasiliti Ujian NXP Malaysia kepada Kapasiti Berganda Menjelang 2028
Pada 12 Ogos 2026 (waktu tempatan), NXP Semiconductors, sebuah syarikat semikonduktor automotif dan perindustrian global yang terkemuka, telah mengadakan majlis pecah tanah untuk kilang pembungkusan dan pengujian baharunya di Petaling Jaya, Malaysia. Sebagai pengembangan besar kemudahan pengujian sedia ada...Baca lebih lanjut -
Berita Industri: Kekurangan Bekalan Kapasitor Seramik Berbilang Lapisan Memacu Lonjakan Harga
Harga kapasitor seramik berbilang lapisan (MLCC), yang sering dirujuk secara bergurau sebagai "beras" peralatan teknologi maklumat (IT), semakin melonjak. Lonjakan harga ini terutamanya disebabkan oleh kekurangan bekalan MLCC yang berpanjangan yang disebabkan oleh ledakan pelaburan dalam kecerdasan buatan...Baca lebih lanjut -
Pita Penutup Kedap Haba 13.50mm Tersuai Tersedia untuk Pita Pembawa 16mm
Pita pembawa standard 16mm biasanya dipadankan dengan pita penutup standard 13.3mm. Walau bagaimanapun, bergantung pada ruang yang diperlukan semasa operasi pengedap untuk komponen mereka, sesetengah pelanggan memilih lebar pita penutup alternatif, sama ada lebih sempit atau lebih lebar daripada 13.3mm. Baru-baru ini...Baca lebih lanjut -
Reka Bentuk Pita Pembawa Tersuai Sinho untuk bahagian CAMBION – Penyelesaian Ogos 2026
Tarikh: Ogos 2026 Jenis penyelesaian: Pita pembawa tersuai Negara Pelanggan: Amerika Syarikat Pengilang Komponen Asal: Reka Bentuk Masa Penyiapan: 1 Jam Nombor Bahagian: 450-3704 SOKET PEMASANGAN PEMADANG, UNTUK DIAMET .040 (1,02)...Baca lebih lanjut -
Reka Bentuk Pita Pembawa Tersuai Sinho untuk bahagian TESLA – Penyelesaian Jul 2026
Tarikh: Jul, 2026 Jenis penyelesaian: Pita pembawa tersuai Negara Pelanggan: Mexico Pengilang Asal Komponen: Reka Bentuk Masa Penyiapan: 2 Jam Nombor Bahagian: Tesla CUP, INS, RET, WSHR, PCBA 2049904-00-B Par...Baca lebih lanjut -
Berita Industri: PVA TePla dan Fraunhofer IISB menubuhkan Makmal Bersama untuk substrat aluminium nitrida
Fraunhofer IISB (Institut Sistem Bersepadu dan Teknologi Peranti) yang berpangkalan di Erlangen dan pembuat sistem plasma gelombang mikro & frekuensi radio yang berpangkalan di Wettenberg, PVA TePla AG, sedang mengumpulkan kepakaran mereka dalam Makmal Bersama untuk pengeluaran aluminium...Baca lebih lanjut -
Berita Industri: Keysight dan WIN bekerjasama untuk mengurangkan risiko reka bentuk untuk komponen RF frekuensi tinggi
Keysight Technologies Inc dari Santa Rosa, CA, Amerika Syarikat dan WIN Semiconductors Corp dari Bandar Taoyuan, Taiwan — yang menyediakan perkhidmatan faundri wafer galium arsenida (GaAs) dan galium nitrida (GaN) tulen untuk industri tanpa wayar, infrastruktur dan rangkaian...Baca lebih lanjut -
Berita Industri: Teknologi IVWorks'reGaN mendayakan GaN HEMT 742GHz pertama
Gambar: Seorang jurutera IVWorks menentukur sumber plasma untuk penggunaan dalam sistem MBE Hibrid berskala pengeluaran, menyokong pertumbuhan epitaksi GaN yang seragam dan berkualiti tinggi. Transitiviti mobiliti elektron tinggi galium nitrida (GaN)...Baca lebih lanjut -
Berita Industri: SIA Memuji Insentif Akta CHIPS untuk Koheren
WASHINGTON, 16 Jun 2026—Persatuan Industri Semikonduktor (SIA) hari ini mengeluarkan kenyataan berikut daripada Presiden dan Ketua Pegawai Eksekutif SIA, John Neuffer, yang memuji insentif pembuatan yang diumumkan oleh Jabatan Perdagangan dan Cohe...Baca lebih lanjut
