-
Alan uutiset: Mikä on transistori
Transistorit ovat elektroniikan uraauurtavia tekijöitä, jotka mullistivat elektroniikan alan. Transistori on puolijohdelaite, joka voi vahvistaa tai muuntaa sähköisiä signaaleja. Se toimii ohjattavana kytkimenä tai vahvistimena. Se on siis menetelmä...Lue lisää -
Alan uutiset: Infineon asettaa uuden tehostandardin tekoälykiihdyttimille ja vertikaaliselle tehonjakelulle 2 A/mm² kaksivaiheisilla älykkäillä tehoasteilla
Infineon Technologies AG (FSE: IFX / OTCQX: IFNNY) esittelee TDA235E5:n ja TDA235E0:n, kaksivaiheisen älykkään tehoasteperheen, joka on suunniteltu vastaamaan seuraavan sukupolven tekoälykiihdyttimien ja vertikaalisten tehonjakelumoduulien nopeasti kasvaviin tehotiheysvaatimuksiin. Integroitu...Lue lisää -
Alan uutiset: Sumitomo Chemical aloittaa 4-tuumaisten InP-epikiekkojen massatuotannon
Japanilainen Sumitomo Chemical Co Ltd on aloittanut 4-tuumaisten indiumfosfidi (InP) -epitaksiaalikiekkojen massatuotannon Ibarakin tehtaallaan Hitachissa, Ibarakin prefektuurissa, ja on aloittanut uusien tuotteiden myynnin. Yritys kertoo, että...Lue lisää -
Alan uutiset: Nexperia tutkii tehopuolijohdeyhteistyötä Aurobayn kanssa sähköistettyjen voimansiirtojärjestelmien parissa
Erillislaitteiden suunnittelija ja valmistaja Nexperia BV Nijmegenistä, Alankomaista (jolla on kiekkotehtaita Hampurissa, Saksassa ja Hazel Grovessa, Manchesterissa, Isossa-Britanniassa) kertoo tutkivansa strategista yhteistyötä edistyneiden teholähteiden parissa...Lue lisää -
Alan uutiset: NXP Malesian testauslaitoksen laajennus kaksinkertaistaa kapasiteetin vuoteen 2028 mennessä
NXP Semiconductors, johtava maailmanlaajuinen autoteollisuuden ja teollisuuden puolijohdeyritys, piti 12. elokuuta 2026 (paikallista aikaa) uuden pakkaus- ja testauslaitoksensa peruskiven muuraustilaisuuden Petaling Jayassa, Malesiassa. Merkittävänä laajennuksena olemassa olevaan testauslaitokseensa...Lue lisää -
Alan uutiset: Monikerroksisten keraamisten kondensaattoreiden tarjonnan pula ajaa hintojen nousua
Monikerroksisten keraamisten kondensaattoreiden (MLCC), joita usein leikillään kutsutaan tietotekniikan (IT) laitteiden "riisiksi", hinta on pilvissä. Tämä hinnannousu johtuu pääasiassa pitkittyneestä MLCC-tarjonnan pulasta, jonka on aiheuttanut tekoälyn investointibuumi...Lue lisää -
Saatavilla 16 mm:n kantoteipille 13,50 mm:n lämpösaumaussuojateippiä
Tavallinen 16 mm:n kantoteippi sopii yleensä yhteen 13,3 mm:n vakiopeiteteipin kanssa. Jotkut asiakkaat valitsevat kuitenkin vaihtoehtoisia peiteteippileveyksiä, jotka ovat joko kapeampia tai leveämpiä kuin 13,3 mm, riippuen komponenttien tiivistystoimenpiteiden vaatimasta tilasta. Viime aikoina...Lue lisää -
Sinho Custom Carrier Tape Design for CAMBION -osa – elokuu 2026 -ratkaisu
Päivämäärä: Elokuu 2026 Ratkaisun tyyppi: Mukautettu kantoteippi Asiakasmaa: Yhdysvallat Komponentin alkuperäinen valmistaja: Suunnittelun valmistumisaika: 1 tunti Osanumero: 450-3704 JUOSTOLIITIN, .040 (1,02) HALKAISIJALLE...Lue lisää -
Sinho Custom Carrier Tape Design TESLA-osalle – heinäkuun 2026 ratkaisu
Päivämäärä: heinäkuu 2026 Ratkaisun tyyppi: Mukautettu kantoteippi Asiakasmaa: Meksiko Komponentin alkuperäinen valmistaja: Suunnittelun valmistumisaika: 2 tuntia Osanumero: Tesla CUP, INS, RET, WSHR, PCBA 2049904-00-B Par...Lue lisää -
Alan uutiset: PVA TePla ja Fraunhofer IISB perustavat yhteislaboratorion alumiininitridialustoille
Erlangenissa toimiva Fraunhofer IISB (Institute for Integrated Systems and Device Technology) ja Wettenbergissä toimiva mikroaalto- ja radiotaajuusplasmajärjestelmien valmistaja PVA TePla AG yhdistävät asiantuntemuksensa yhteislaboratoriossa alumiinin tuotantoa varten...Lue lisää -
Alan uutiset: Keysight ja WIN tekevät yhteistyötä korkeataajuisten RF-komponenttien suunnitteluriskin vähentämiseksi
Keysight Technologies Inc Santa Rosassa, Kaliforniassa, Yhdysvalloissa ja WIN Semiconductors Corp Taoyuan Cityssä, Taiwanissa — joka tarjoaa puhtaasti pelimuotoisia galliumarsenidi- (GaAs) ja galliumnitridi- (GaN) kiekkojen valimopalveluita langattomaan infrastruktuuriin ja verkkoihin...Lue lisää -
Alan uutiset: IVWorksin reGaN-teknologia mahdollistaa ensimmäisen 742 GHz:n GaN HEMT:n
Kuva: IVWorksin insinööri kalibroi plasmalähteen käyttöönottoa varten tuotantomittakaavan hybridi-MBE-järjestelmässä, joka tukee korkeaa tasaisuutta ja korkealaatuista GaN-epitaksiaalista kasvua. Galliumnitridistä (GaN) valmistettu suuren elektroniliikkuvuuden omaava transi...Lue lisää
