-
Industriaj Novaĵoj: Kio estas Transistoro
Transistoroj estas enkondukaj elektronikaj faktoroj, kiuj revoluciigis la kampon de elektroniko. Ĉefe transistoro estas duonkondukta aparato, kiu povas amplifiki aŭ konverti elektrajn signalojn. Ĝi funkcias kiel kontrolebla ŝaltilo aŭ amplifilo. Ĝi estas tial metodo de kon...Legu pli -
Industriaj Novaĵoj: Infineon starigas novan potencan normon por AI-akceliloj kaj vertikala potencliverado per 2 A/mm² dufazaj inteligentaj potencoŝtupoj
Infineon Technologies AG (FSE: IFX / OTCQX: IFNNY) prezentas la TDA235E5 kaj TDA235E0, dufazan inteligentan potencstadian familion desegnitan por plenumi la rapide kreskantajn potencdensecajn postulojn de venontgeneraciaj AI-akceliloj kaj vertikalaj potencliveraj moduloj. Integri...Legu pli -
Industriaj Novaĵoj: Sumitomo Chemical komencas amasproduktadon de 4-colaj InP-epivafroj
Sumitomo Chemical Co Ltd, bazita en Japanio, establis amasproduktadon de 4-colaj epitaksiaj obleoj el india fosfido (InP) ĉe sia Ibaraki-fabriko en Hitachi, Ibaraki-prefektujo, kaj komencis vendi la novajn produktojn. La firmao diras, ke...Legu pli -
Industriaj Novaĵoj: Nexperia esploras kunlaboron kun Aurobay pri potenc-duonkonduktaĵoj por elektrigitaj potencotrajnoj
Nexperia BV, dizajnisto kaj fabrikanto de diskretaj aparatoj el Nijmegen, Nederlando (kiu funkciigas fabrikojn de obletoj en Hamburgo, Germanio, kaj Hazel Grove, Manĉestro, Britio), diras, ke ĝi esploros strategian kunlaboron pri progresintaj potenc-...Legu pli -
Industriaj Novaĵoj: La Vastigo de la Testinstalaĵo de NXP Malajzio Duobligos Kapaciton antaŭ 2028
La 12-an de aŭgusto 2026 (loka tempo), NXP Semiconductors, ĉefa tutmonda aŭtomobila kaj industria duonkonduktaĵa kompanio, okazigis inaŭguran ceremonion por sia nova pakado- kaj testadinstalaĵo en Petaling Jaya, Malajzio. Kiel grava vastigo de sia ekzistanta testadinstalaĵo...Legu pli -
Industriaj Novaĵoj: Mankoj de Multtavolaj Ceramikaj Kondensatoroj Pelas Prezajn Altiĝojn
La prezo de plurtavolaj ceramikaj kondensatoroj (MLCC-oj), ofte ŝerce nomataj la "rizo" de informadikaj (IT) ekipaĵoj, ŝvebas. Ĉi tiu prezaltiĝo ŝuldiĝas ĉefe al longedaŭra manko de MLCC-oj kaŭzita de la investa eksplodo en artefarita inteligenteco...Legu pli -
Speciale Farita 13,50mm Varmo-Sigela Kovra Glubendo Havebla por 16mm Subtena Glubendo
Norma 16mm transportbendo estas normale kongruigita kun 13.3mm norma kovrobendo. Tamen, depende de la spaco bezonata dum sigelado de iliaj komponantoj, iuj klientoj elektas alternativajn kovrobendlarĝojn, aŭ pli mallarĝajn aŭ pli larĝajn ol 13.3mm. Lastatempe...Legu pli -
Sinho-Dezajno de Speciala Glubendo por CAMBION-parto - Aŭgusto 2026 Solvo
Dato: Aŭg., 2026 Tipo de solvo: Propra transportbendo Klienta Lando: Usono Origina Fabrikisto de Komponanto: Dezajno Kompletiga Tempo: 1 Horo Parta Numero: 450-3704 LUTAĴA MUNTINGO, POR .040 (1,02) DIAMET...Legu pli -
Sinho-Dezajno de Speciala Glubendo por TESLA-parto - Solvo de Julio 2026
Dato: Jul, 2026 Solvotipo: Propra transportbendo Klienta Lando: Meksiko Komponanto Origina Fabrikisto: Dezajno Kompletiga Tempo: 2 Horoj Parta Numero: Tesla CUP, INS, RET, WSHR, PCBA 2049904-00-B Par...Legu pli -
Industriaj Novaĵoj: PVA TePla kaj Fraunhofer IISB establas Komunan Laboratorion por aluminiaj nitridaj substratoj
Fraunhofer IISB (Instituto por Integraj Sistemoj kaj Aparata Teknologio) bazita en Erlangen kaj PVA TePla AG, fabrikanto de mikroondaj kaj radiofrekvencaj plasmosistemoj bazita en Wettenberg, kunigas sian sperton en komuna laboratorio por la produktado de aluminio...Legu pli -
Industriaj Novaĵoj: Keysight kaj WIN kunlaboras por redukti dezajnan riskon por altfrekvencaj RF-komponantoj
Keysight Technologies Inc de Santa Rosa, Kalifornio, Usono kaj WIN Semiconductors Corp de Taoyuan City, Tajvano — kiu provizas servojn por fandado de puraj galiumaj arsenidoj (GaAs) kaj galiumaj nitridoj (GaN) por la sendrataj, infrastrukturaj kaj retaj sektoroj...Legu pli -
Industriaj Novaĵoj: La reGaN-teknologio de IVWorks ebligas la unuan 742GHz GaN HEMT
Bildo: Inĝeniero de IVWorks kalibras plasmofonton por deplojo en produktad-skala hibrida MBE-sistemo, subtenante alt-homogenecon kaj altkvalitan GaN-epitaksan kreskon. Galiumnitrida (GaN) transiro kun alt-elektrona movebleco...Legu pli
