-
Novinky z oboru: Infineon nastavuje nový energetický standard pro akcelerátory umělé inteligence a vertikální napájení s dvoufázovými inteligentními napájecími stupni s proudem 2 A/mm²
Společnost Infineon Technologies AG (FSE: IFX / OTCQX: IFNNY) představuje řadu dvoufázových inteligentních výkonových stupňů TDA235E5 a TDA235E0, které jsou navrženy tak, aby splňovaly rychle rostoucí požadavky na hustotu výkonu akcelerátorů umělé inteligence a vertikálních napájecích modulů nové generace. Integrované...Číst dále -
Novinky z oboru: Společnost Sumitomo Chemical zahajuje hromadnou výrobu 4palcových InP epiwaferů
Japonská společnost Sumitomo Chemical Co Ltd. zavedla ve svém závodě Ibaraki Works v Hitachi v prefektuře Ibaraki hromadnou výrobu 4palcových epitaxních destiček z fosfidu india (InP) a začala prodávat nové produkty. Firma uvádí, že...Číst dále -
Novinky z oboru: Nexperia zkoumá spolupráci se společností Aurobay v oblasti výkonových polovodičů pro elektrifikované pohonné jednotky
Společnost Nexperia BV, která se zabývá návrhem a výrobou diskrétních součástek a zařízení v nizozemském Nijmegenu (provozuje továrny na výrobu destiček v německém Hamburku a v Hazel Grove v Manchesteru ve Velké Británii), oznámila, že prozkoumá strategickou spolupráci v oblasti pokročilých napájecích systémů...Číst dále -
Novinky z oboru: Rozšíření testovacího zařízení NXP Malajsie do roku 2028 zdvojnásobí svou kapacitu
Dne 12. srpna 2026 (místního času) uspořádala společnost NXP Semiconductors, přední světová společnost zabývající se automobilovými a průmyslovými polovodiči, slavnostně položila základní kámen svého nového závodu na balení a testování v Petaling Jaya v Malajsii. V rámci významného rozšíření stávajícího testovacího zařízení...Číst dále -
Novinky z oboru: Nedostatek dodávek vícevrstvých keramických kondenzátorů vede k prudkému nárůstu cen
Cena vícevrstvých keramických kondenzátorů (MLCC), které se často žertem označují jako „rýže“ pro zařízení informačních technologií (IT), prudce roste. Tento cenový nárůst je způsoben především dlouhodobým nedostatkem dodávek MLCC způsobeným investičním boomem v oblasti umělé inteligence...Číst dále -
Zakázková krycí páska s tepelným spojem o šířce 13,50 mm k dispozici pro nosnou pásku o šířce 16 mm
Standardní nosná páska o šířce 16 mm se obvykle kombinuje se standardní krycí páskou o šířce 13,3 mm. Nicméně v závislosti na prostoru potřebném během těsnění součástek se někteří zákazníci rozhodnou pro alternativní šířky krycí pásky, buď užší, nebo širší než 13,3 mm. Nedávno...Číst dále -
Návrh zakázkové nosné pásky Sinho pro díl CAMBION – řešení ze srpna 2026
Datum: srpen 2026 Typ řešení: Zakázková nosná páska Země zákazníka: USA Výrobce originální součástky: Návrh Doba dokončení: 1 hodina Číslo dílu: 450-3704 PÁJECÍ ZÁSUVKA, PRO PRŮMĚR 0,040 (1,02)...Číst dále -
Návrh zakázkové nosné pásky Sinho pro díl TESLA – řešení z července 2026
Datum: červenec 2026 Typ řešení: Zakázková nosná páska Země zákazníka: Mexiko Výrobce originálních komponent: Návrh Doba dokončení: 2 hodiny Číslo dílu: Tesla CUP, INS, RET, WSHR, PCBA 2049904-00-B Část...Číst dále -
Novinky z oboru: PVA TePla a Fraunhofer IISB zakládají společnou laboratoř pro substráty z nitridu hliníku
Fraunhofer IISB (Institut pro integrované systémy a technologie zařízení) se sídlem v Erlangenu a výrobce mikrovlnných a radiofrekvenčních plazmových systémů PVA TePla AG se sídlem ve Wettenbergu sdružují své odborné znalosti ve společné laboratoři pro výrobu hliníkových...Číst dále -
Novinky z oboru: Keysight a WIN spolupracují na snížení konstrukčních rizik pro vysokofrekvenční RF komponenty
Společnosti Keysight Technologies Inc. ze Santa Rosy v Kalifornii v USA a WIN Semiconductors Corp. ze města Taoyuan na Tchaj-wanu, které poskytují služby v oblasti výroby čistě waferových destiček z arsenidu galia (GaAs) a nitridu galia (GaN) pro bezdrátové sítě, infrastrukturu a sítě...Číst dále -
Novinky z oboru: Technologie reGaN od IVWorks umožňuje první GaN HEMT s frekvencí 742 GHz
Obrázek: Inženýr ze společnosti IVWorks kalibruje plazmový zdroj pro nasazení v hybridním systému MBE v produkčním měřítku, který podporuje vysoce uniformní a kvalitní epitaxní růst GaN. Přechodník z nitridu galia (GaN) s vysokou mobilitou elektronů...Číst dále -
Novinky z oboru: SIA chválí pobídky zákona CHIPS pro soudržnost
WASHINGTON, 16. června 2026 – Asociace polovodičového průmyslu (SIA) dnes vydala následující prohlášení prezidenta a generálního ředitele SIA Johna Neuffera, v němž vítala pobídky pro výrobu oznámené Ministerstvem obchodu a Komisí...Číst dále
